真空鍍膜儀的濺鍍一般是指磁控濺鍍，歸于高速低溫濺鍍法。該技能請求真空度在1×10-3Torr擺布，即1.3×10-3Pa的真空狀況充入慵懶氣體氬氣(Ar)，并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電，因?yàn)檩x光放電發(fā)生的電子激起慵懶氣體，發(fā)生等離子體，等離子體將金屬靶材的原子轟出，堆積在塑膠基材上。

　　真空鍍膜儀濺鍍時(shí)以幾十電子伏特或更高動(dòng)能的荷電粒子炮擊材料外表，使其濺射出進(jìn)入氣相，可用來刻蝕和鍍膜。入射一個(gè)離子所濺射出的原子個(gè)數(shù)稱為濺射產(chǎn)額，產(chǎn)額越高濺射速度越快，以Cu,Au,Ag等高，Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電發(fā)生，在10-1—10 Pa真空度，在兩極間加高壓發(fā)生放電，正離子會炮擊負(fù)電之靶材而濺射也靶材，而鍍至被鍍物上。

　　正常輝光放電的電流密度與陰極物質(zhì)與形狀、氣體品種壓力等有關(guān)。濺鍍時(shí)應(yīng)盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜，即便高熔點(diǎn)資料也簡單濺鍍，但對非導(dǎo)體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因?qū)щ娦暂^差，濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達(dá)10W/cm²，非金屬小于5W/cm²。